| 产品图片 | 产品名称/型号 | 产品描述 |
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diechip，IC失效分析 -
Wafer正反面定位标记重合误差无损测量 -
硅基半导体Wafer、碲化镉CdTe、碲镉汞HgCdTe衬底缺陷无损红外检测 -
对太阳能电池/组件加载电压后，使之发光，再利用近红外相机摄取其发光影像，因电致发光亮度正比于少子扩散长度，缺陷处因具有较低的少子扩散长度而发出较弱的光，从而形成较暗的影像。
